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IBM英特尔明年对决32nm芯片新制程
 
 
 
 
2008-04-16 11:04:51
 
  服务器在线  
 

IBM可望在下一代Power处理器上使用32纳米技术。若IBM在今年第三季提供32纳米原型芯片,其商业化产品的上市时程应该是在2009年,而Intel的32纳米芯片上市时
程,一样订在明年度。

半导体技术正在加速往32纳米制程前进。IBM与六家合作厂商周一宣布,32纳米芯片技术已经接近商业化阶段,预计今年第三季可以提供32纳米的原型芯片,让制造商开始设计终端产品。

IBM 是与特许半导体(Chartered Semiconductor)、飞思卡尔(Freescale)、英飞凌(Infineon)、三星(Samsung)、意法半导体(STMicroelectronics),以及Toshiba等六家厂商,连手开发32纳米芯片技术。

IBM指出,32纳米制程采用High k/Metal Gate(高介电质金属闸极)材料,可缩小芯片体积,并且达到省电目的。根据可行性测试结果,在同样电压条件下,32纳米芯片比45纳米产品的效能高出35%,在同样效能表现的耗电量需求上节省45%的电力。

目前,IBM已在纽约州East Fishkill的12?季г渤Ы?行32纳米芯片的制造工作,未来可为低耗电计算机、消费性电子产品,以及需要高效能的游戏机或企业服务器提供更好的芯片效能。一般预料,IBM可望在下一代Power处理器上,使用32纳米技术。

一直以来,晶体管是采用多晶硅栅极(gate)、二氧化硅作为绝缘层的方式,但进入纳米制程后,晶体管体积缩小,原有材料已无法应付严重的漏电现象,为解决问题,必须以更高绝缘性的高K电质(High-k)材料,搭配金属性的闸极设计,才能控制漏电状况。

Intel 与IBM都运用类似技术,发展32纳米制程。其中,Intel已在Penryn芯片上使用High k/Metal Gate材质,并提出以铪(Hafnium)替代过去的二氧化硅,然后将闸极改成铪合金(Hf Alloy),以加速电路流通速度、降低芯片耗电功率。

若IBM在今年第三季提供32纳米原型芯片,其商业化产品的上市时程应该是在2009年,而Intel的32纳米芯片上市时程,一样订在明年度,再加上Intel的竞争对手AMD,正是IBM 32纳米技术的合作伙伴之一,如此一来,明年的芯片市场可望全面迈向32纳米阶段。

 
   
  (网页编辑:吴威  
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