IBM宣布率先掌握22nm制程工艺
IBM公司近期与其合作伙伴们高调宣布了第一个基于22nm制造工艺的芯片——静态随机存取存储器单元(SRAM)。这表明IBM直接跳过了32nm制程，开始转入22nm工艺，从而在制程工艺上首次领先了英特尔。
IBM所说的SRAM是由AMD、Freescale、IBM、东芝以及CNSE共同开发生产，采用传统的设计方式--在300mm晶圆上设置6三极管。相比原先的动态RAM芯片，SRAM要更加复杂，速度也更快。它主要用做一些存储驱动器的高速缓冲单元。据IBM的TC Chen博士所说，SRAM的发展是"微电子学科在小型化领域的一个巨大成就"。据称，该芯片的磁心存储匹元（memory cell）面积仅为0.1μm2，这方面与Intel 0.346 μm2磁心存储匹元的面积相比具有不小的优势。
随着竞争的日益激烈，芯片制造商之间比赛工艺制程的进步变得越来越明显。因为处理器的制程越小，代表着越少的功耗和越高密度的晶体管集成度。近年来，英特尔总是领先于业界其它竞争对手，在45nm和32nm领域都是先拔头筹。而IBM本次22nm SRAM的发布，宣布了自己的巨人地位，为IBM、AMD联盟扳回了一城。
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